在2014年的IEEE電子器件國際會議（IEDM 2014）上，開幕當天下午有一場“尖端CMOS技術平台”分會（Session 3：Advanced CMOS Technology Platform）。
與上屆IEDM一樣，此次首先發表演講的也是台積電（TSMC，論文編號：3.1），內容是關於基於塊體FinFET的16nm製程。能夠容納800多人的寬敞的會場幾乎座無虛席，經常有任期。
此次發表的工藝是對台積電上次發表的16nm FinFET工藝進行了大幅改進，該公司稱之為“第二代FinFET”。Fin間距為48nm，柵極間距為90nm，金屬間距為64nm。SRAM單元尺寸為0.07μm2。與第一代相比，工作速度提高15％，功耗降低30％，但該公司並未公開具體工藝細節。
之後是關於使用FinFET的模擬電路、SRAM、SOI SRAM等方面的演講。其中最受關注的是作為消息公報（Late News）發表的英特爾的14nm塊體FinFET相關演講（論文編號：3.7），以及IBM的關於14nm SOI FinFET（論文編號：3.8）的演講。這些演講都很受歡迎，甚至還有聽眾站著。
14nm領域進入多種工藝技術展開競爭的“戰國時代”
英特爾在2014年8月獨自發表了14nm製程技術，但在學會上發表該製程技術，此次還屬首次。該製程技術繼22nm之後繼續採用塊體FinFET，英特爾將其稱為FinFET“第二代”，是該公司目前正在量產的14nm製程技術。
英特爾的14nm製程技術運用了利用側壁的自對準雙重曝光工藝（self-aligned double patterning：SADP）。Fin間距為42nm，柵極間距為70nm，金屬間距在第二金屬佈線層（M2）為52nm，均為極小的數值。SRAM單元尺寸為0.0588μm2。與其他公司比較，英特爾以前在間距方面較為寬鬆，而此次積極提高了集成度。
英特爾不僅公佈了導通電流及偏差等數據，還公開了器件的截面照片及SRAM的照片。另外，在佈線方面，為了降低介電常數，英特爾首次導入了空氣間隙，這對該公司來說恐怕還屬首次。
與台積電和英特爾不同，IBM發表了SOI基板上而非塊體基板上的FinFET。Fin間距為42nm，柵極間距為80nm，金屬間距為64nm。以閾值電壓控制為目的，同時使用了摻雜工藝和兩種柵極工作函數。混載記憶體使用單元尺寸僅為0.0174μm2的混載DRAM（eDRAM）。
在14nm製程中，平面塊體CMOS消聲匿跡。在該製程領域，目前除了有塊體FinFET和SOI FinFET之外，平面SOI器件也被開發出來，進入了多種器件共存的“戰國時代”。（特約撰稿人：平本俊郎，東京大學）
新聞來源：日經技術在線
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